La résistivité d'une diode au silicium utilisée comme détecteur de particules
Résumé
La résistivité (ρ) d’une structure p+nn+ au silicium, utilisée comme détecteur de particules travaillant dans un environnement hostile et soumis à de fortes fluences, est simulé numériquement en utilisant la méthode des différences finies. Lorsque cette jonction est soumise à des fortes radiations, des défauts structuraux sont créés qui ont des effets indésirables et peuvent dégrader les performances des détecteurs. Ces défauts se manifestent comme des pièges accepteurs et des centres de génération-recombinaison (g-r).
La résistivité augmente avec l’augmentation de la densité du piège accepteur pour atteindre la résistivité intrinsèque (maximale).
Références
[1] Bates S.J., Munday D.J., and all. (1994) Recentresults of radiation damage studies in silicon,
Nuclear Instruments and Methods in PhysicsResearch, A. 344, pp.228-236.
[2] Patrick R., (1999) Etude des caractéristiquesélectriques de détecteurs au silicium dans les
condition d'irradiation du LHD, thèse PhD,Université de Montréal.
[3] McPherson M. (1997), Irradiated Silicon Detectorsas Relaxation Devices, PhD Thesis, Lancaster
University.
[4] Croitoru N, Dahan R, and all. (1998) Study of Resistivity and Majority Carrier Concentration of
Silicon Damaged by Neutron Irradiation. NuclearPhysics B (Proc. Suppl.) 61, pp.456-463
[5] Lang D.V, (1974) Fast capacitance transientapparatus: application to ZnO and O centers in
GaP p-n junctions, J. Appl. Phys. Vol. 45, No 7,p.3014-3022.
[6]Lang D.V, (1974) Deep-level transientspectroscopy: A new method to characterize traps
in semiconductors, J. Appl. Phys. Vol. 45, No 7,pp.3023-3032.
[7] Kurata M. (1982) Numerical Analysis forSemiconductor Devices, D.C. Heath and
Company, Canada.
[8]B. McEvoy, “Defect kinetics in silicon detectormaterial for applications at the Large Hadron
Collider”, PhD thesis, (1996) Imperial College,London.
[9]Biggeri U, Borchi E, Bruzzia M, Lazanub S, Li Z. CV and Hall effect analysis on neutron
irradiated silicondetectors, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. 388, (1997)
pp.330-334
Nuclear Instruments and Methods in PhysicsResearch, A. 344, pp.228-236.
[2] Patrick R., (1999) Etude des caractéristiquesélectriques de détecteurs au silicium dans les
condition d'irradiation du LHD, thèse PhD,Université de Montréal.
[3] McPherson M. (1997), Irradiated Silicon Detectorsas Relaxation Devices, PhD Thesis, Lancaster
University.
[4] Croitoru N, Dahan R, and all. (1998) Study of Resistivity and Majority Carrier Concentration of
Silicon Damaged by Neutron Irradiation. NuclearPhysics B (Proc. Suppl.) 61, pp.456-463
[5] Lang D.V, (1974) Fast capacitance transientapparatus: application to ZnO and O centers in
GaP p-n junctions, J. Appl. Phys. Vol. 45, No 7,p.3014-3022.
[6]Lang D.V, (1974) Deep-level transientspectroscopy: A new method to characterize traps
in semiconductors, J. Appl. Phys. Vol. 45, No 7,pp.3023-3032.
[7] Kurata M. (1982) Numerical Analysis forSemiconductor Devices, D.C. Heath and
Company, Canada.
[8]B. McEvoy, “Defect kinetics in silicon detectormaterial for applications at the Large Hadron
Collider”, PhD thesis, (1996) Imperial College,London.
[9]Biggeri U, Borchi E, Bruzzia M, Lazanub S, Li Z. CV and Hall effect analysis on neutron
irradiated silicondetectors, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. 388, (1997)
pp.330-334
Publiée
2014-09-22
Comment citer
ACHOURA, Saadoune; LAKHDAR, Dehimi.
La résistivité d'une diode au silicium utilisée comme détecteur de particules.
Science des matériaux (Laboratoire LARHYSS), [S.l.], v. 2, sep. 2014.
ISSN 2352-9954.
Disponible à l'adresse : >https://revues.univ-biskra.dz./index.php/sdm/article/view/866>. Date de consultation : 04 déc. 2024
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