NOUVEL ALGORITHME DE SIMULATION MONTÉ CARLO DU COURANT EBIC DANS LESSEMICONDUCTEURS

Résumé

Nous avons développé un nouvel algorithme de simulation Monte Carlo pour calculer le courant EBIC. Cet algorithme simule
d'abord les trajectoires des électrons incidents et la dissipation d'énergie qui détermine la génération des porteurs à l'intérieur
du semi-conducteur sous bombardement électronique. La fonction de génération des porteurs en excès ainsi obtenue est sous la
forme d'une distribution tridimensionnelle de sources ponctuelles Si
dans le volume de génération. Nous avons calculé la
trajectoire de chaque porteur minoritaire généré par différentes sources Si
jusqu'à sa collection à la surface d'un contact
Schottky ou sa recombinaison. Nous avons discuté l'effet de l'énergie E0des électrons incidents et la longueur de diffusion L
des porteurs minoritaires sur l'efficacité de collecte ηde diode Schottky à base de germanium. Nos résultats sont en bons
accords avec ceux publiés dans la littérature.

We have developed a new Monte Carlo algorithm to simulate the EBICcurrent. The algorithm simulates the incident electron
trajectories and the energy dissipation that determines the carriers generation within the semiconductor under electron
bombardment. The generation function of the excess carriers obtained is given as three-dimensional distribution of point-like
sources Si
within the generation volume. We have calculated the trajectory of each carrier that originates from the different
point-like sources Si
until its collection at the Schottky contact surface or its recombination. We have discussed the effect of
incident electrons energies E0and the minority carrier diffusion length Lon the collection efficiency ηof a Schottky diode in
germanium. Our results are in good agreement with those published in literature.